يک شرکت تحقيقاتي تايواني اعلام کرد که از اين پس RRAM -Resistive RAM يا رم‌هاي مقاومتي مي‌توانند به عنوان يک تراشه حافظه‌اي جايگزين براي DRAM و حافظه‌هاي فلش NAND مورد استفاده قرار گيرند.

حافظه‌هاي DRAM مهم‌ترين حافظه‌هايي هستند که طي دهه‌هاي گذشته در کامپيوترها مورد استفاده قرار گرفته‌اند و به دليل توانايي در اجراي اطلاعات با سرعت بالا، از ارزش زيادي برخوردارند. حافظه‌هاي فلش NAND نيز از فناوري‌هاي جديد محسوب مي‌شوند که بازار آن با سرعت قابل‌ملاحظه‌اي رشد کرده است، زيرا اين امکان را به وجود آورده‌اند تا حجم زيادي از فايل‌هاي صوتي، عکس و ديگر اطلاعات در دستگاه‌ چندرسانه‌اي قابل‌حمل iPod، گوشي iPhone، دوربين‌هاي ديجيتالي و ديگر محصولات ذخيره شود.


محققان موسسه تحقيقات فناوري تايوان(ITRI) بر اين باورند که RRAM توانايي کامل خود را به اثبات رسانده و مي‌تواند طي سال‌هاي آتي به صورت گسترده وارد بازار شود.


"تساي مينگ-جين"(Tsai Ming-jinn) مدير تحقيقات مرکز فناوري نانوالکترونيک در موسسه ITRI توضيح داد: «ما هنوز در مراحل نخست توسعه اين فناوري به‌سر مي‌بريم. ما هم‌اکنون نمي‌توانيم به حافظه‌هاي DRAM اعتماد کامل داشته باشيم».
تاکنون بيشتر فعاليت‌هاي تحقيقاتي مبتکرانه روي تراشه‌هاي حافظه بر DRAM و حافظه‌هاي فلش NAND تمرکز داشته است، زيرا اين دو محصول توانسته‌اند به صورت گسترده بازار را در اختيار بگيرند. بر اساس اطلاعات منتشر شده از سوي مرکز iSuppli، ارزش بازار جهاني DRAM در سال گذشته به‌تنهايي 24 ميليارد دلار اعلام شد.


بايد توجه داشت که به‌طور معمول بيشتر تلاش‌ها براي بيرون کردن اين دو حافظه از بازار تاکنون با شکست مواجه شده است. براي مثال، حافظه‌هاي PRAM(Phase-change memory) يکي از بخش‌ها در دنياي تراشه‌هاي حافظه‌اي محسوب مي‌شوند که مرکز ITRI قصد دارد در سال جاري ميلادي تمرکز خود را بر آن‌ها کاهش دهد و ديگر براي توسعه و توليد آن تلاش نکند.

به گزارش خبرگزاری بخش خبر شبکه فناوری اطلاعات ایران از سایت پارسیک،