نوعي memory chip جديد با ظرفيتي دو برابر ظرفيت هاردديسك درايو و حافظه‌ فلش‌هاي فعلي از سوي گروهي از شركت‌هاي زيرمجموعه‌ي IBM طراحي شد.

به گزارش بخش خبر شبكه فن آوري اطلاعات ايران، از ایسنا، در اين حافظه‌ي جديد بخش phase- change memory دو برابر شده و با كاربرد نيمي ‌از قدرت خود به هنگام كپي كردن اطلاعات بر روي يك سلول حافظه، 500 بار سريع‌تر از حافظه‌هاي فلش امروزي كار مي‌كند و حركت دايره‌ي آن نيز خيلي كوچك‌تر از فلش چيپ‌هايي است كه فقط سه تا 20 نانومتر اندازه دارند.