نوعي memory chip جديد با ظرفيتي دو برابر ظرفيت هاردديسك درايو و حافظه فلشهاي فعلي از سوي گروهي از شركتهاي زيرمجموعهي IBM طراحي شد.
به گزارش بخش خبر شبكه فن آوري اطلاعات ايران، از ایسنا، در اين حافظهي جديد بخش phase- change memory دو برابر شده و با كاربرد نيمي از قدرت خود به هنگام كپي كردن اطلاعات بر روي يك سلول حافظه، 500 بار سريعتر از حافظههاي فلش امروزي كار ميكند و حركت دايرهي آن نيز خيلي كوچكتر از فلش چيپهايي است كه فقط سه تا 20 نانومتر اندازه دارند.
نقل اخبار/اطلاعات ساير
سايتها/پايگاهها لزوما به معناي تائيد آنها نيست، بلكه مسئوليت تمامي مطالب
ارسالي به عهده پايگاههاي مربوطه ميباشد نقل مطالب سايت با ذکر منبع (www.IRITN.com) و نام نويسنده مجاز است.
All
rights reserved. Copyright 2003-2006 by KEYANA IT Co. Computed in 0.06
seconds
(Best Viewed With IE 6.0 or higher (1024x768