نخستين تراشه رايانه اى حافظه از نوع "دى رم "DRAM، با گنجايش دو گيگابايت ساخته شد.

به گزارش بخش خبر سايت اخبار فن آوري اطلاعات ايران، به نقل از ايرنا، شرکت "سامسونگ الکترونيکس " کره جنوبى موفق شده است با استفاده از فن اورى هاى فعلى ساخت تراشه هاى رايانه اى نخستين تراشه حافظه "دى رم " از نوع "دىدىآر"DDR ( ) با گنجايش دو گيگابايت را توليد کند.

دانشمندان کره اى براى ساخت اين تراشه از فن اورى موسوم به ۸۰ نانومترىاستفاده کرده اند. پيش از اين تصور مى شد که براى ساخت تراشه هاى حافطه با ظرفيتهاى بسيار زياد نظير تراشه جديد، بايد از فن اورى بسيار پيشرفته و جديد ۶۵ نانومترى استفاده کرد و اين درحالى است که شرکت "سامسونگ " براى ساخت اين تراشه از همان فن اورى مرسوم فعلى در ساخت تراشه ها، يعنى فن اورى۸۰ نانومترى استفاده کرده است .

به گفته "هوانگ چانگ -گيو" رييس بخش نيمه هادىهاى شرکت "سامسونگ الکترونيکس "، ساخت تراشه حافظه جديد نشان مى دهد برخلاف تصورات عموم ، افزايش گنجايش تراشه هاى ساخته شده از نيمه هاديها تنها با اتکا به فن اوريهاى نانومترى جديد ممکن نمى شود و مى توان با بهبود طراحى تراشه هاى حافظه ، گنجايش آنها را افزايش داد.

وى افزود : دست يابى به تراشه حافظه دو گيگابايتى جديد از طريق ترکيب فن اورى سه بعدى طراحى ترانزيستورها با يک معمارى بى‌نظير، ممکن شده است .

تبليغات داخلي ...

حاميان ما ...