اندازه عناصر سازنده 90 Prescott نانومتر است. در این وضعیت، اینتل می تواند ترانزيستورهایی بسازد که طول دريچه (Gate) آنها تنها 50 نانومتر باشد و این تیری است که سه نشان را می زند. ترانزيستورهای کوچکتر با سرعت بیشتری باز و بسته می شوند، انرژی کمتری مصرف می کنند و جای کمتری می گیرند.

به گزارش بخش خبر سايت اخبار فن آوري اطلاعات ايران، از مجله رایانه، در حالی که Northwood با 55 میلیون ترانزیستور ساخته شده در ساخت 125 Prescott میلیون ترانزیستور به کار می رود که بیشتر از دو برابر است.

بیشتر این ترانزيستورهای اضافه شده به Cache سطح دوم با گنجایش یک مگابایت مربوط می شوند. فن آوری 90 نانومتری باعث شده که هسته Prescott تنها 112 میلی متر مربع را اشغال کند در حالی که سطح Die در Northwood با ترانزیستورهای بسیار کمتر 131 میلی متر مربع است. اما این ترانزیستورها برای اینتل به اندازه کافی سریع نبودند. از همین رو، این شرکت به عنوان نخستین سازنده نیمه هادی ها، Strained Silicon را به تولید انبوه رساند.

در این شیوه، دریچه های کریستالی طبیعی سیلیسیوم به طور مصنوعی کشت داده می شود. از طريق تناسب های پیچیده فیزیک یک حالت جامد، میزان تحرک پذیری حامل های بار الکتریکی افزایش داده شده و در نتیجه ترانزیستورها می توانند با سرعت بیشتری قطع و وصل شده و جریان های الکتریکی قوی تری را کنترل کنند.

تبليغات داخلي ...

حاميان ما ...